SUF30J-E3/54
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | SUF30J-E3/54 |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 3A P600 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 2 V @ 3 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | P600 |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 35 ns |
Verpackung / Gehäuse | P600, Axial |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Grundproduktnummer | SUF30 |
SUF30J-E3/54 Einzelheiten PDF [English] | SUF30J-E3/54 PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 600V 3A P600
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 3A P600
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
DIODE GP 200V 1A MELF DO-213AB
DIODE GP 50V 1A MELF DO-213AB
DIODE GEN PURP 600V 3A P600
DIODE GP 100V 1A MELF DO-213AB
DIODE GEN PURP 400V 3A P600
DIODE GEN PURP 400V 3A P600
DIODE GP 400V 1A MELF DO-213AB
DIODE GEN PURP 400V 3A P600
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2024/06/6
2024/04/18
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2023/12/20
![]() SUF30J-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
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Zielpreis (USD)
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